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IRFZ34NSPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFZ34NSPBF
廠商型號(hào)

IRFZ34NSPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

296.19 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-22 17:32:00

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IRFZ34NSPBF規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRFZ34NS)

● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFZ34NSPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO-263-2
12700
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美
詢價(jià)
IR
21+
TO-263-2
10000
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
501426
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)
IR
TO-263
68500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢價(jià)
IR
24+
TO263
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
IR
22+
TO-263
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
IR
25+
TO-263
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
464
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價(jià)
IR
23+
TO-263-2
12800
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價(jià)
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24+
TO-263-2
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價(jià)