IRFZ34NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFZ34NS規(guī)格書詳情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRFZ34NS)
● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFZ34NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
10155 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
08+ |
D2-pak |
20000 |
普通 |
詢價 | ||
IR |
14+ |
TO252 |
550 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-263 |
45000 |
IR全新現(xiàn)貨IRFZ34NS即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon |
23+ |
D2PAK |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO263 |
7850 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
NA |
1820 |
只做原裝,一定有貨,不止網(wǎng)上數(shù)量,量多可訂貨! |
詢價 |
