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IRFZ34NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFZ34NS
廠商型號(hào)

IRFZ34NS

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

296.19 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

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更新時(shí)間

2025-8-14 23:01:00

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IRFZ34NS規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRFZ34NS)

● Low-profile through-hole (IRFZ34NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFZ34NS

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
10155
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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20000
普通
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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IR全新現(xiàn)貨IRFZ34NS即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有排單訂
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