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IRFBF20S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFBF20S
廠商型號

IRFBF20S

功能描述

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)

文件大小

311.85 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-10 17:32:00

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IRFBF20S規(guī)格書詳情

描述 Description

Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

? Surface Mount (IRFBF20S)

? Low-profile through-hole (IRFBF20L)

? Available in Tape & Reel (IRFBF20S)

? Dynamic dv/dt Rating

? 150°C Operating Temperature

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFBF20S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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TO-263-3 (D2PAK)
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原裝正品 支持實(shí)單
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