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IRFBE30STRLPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFBE30STRLPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
?
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFBE30STRLPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
06+ |
TO-220 |
6000 |
全新原裝 絕對有貨 |
詢價 | ||
VISHAY |
2049+ |
D2PAK |
300 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
9896 |
詢價 | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
D2PAK |
4480 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
IRFBE30STRLPBF |
575 |
575 |
詢價 | ||||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
D2PAK |
60000 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO220AB |
315 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
D2PAK |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
