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IRFBE30SPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFBE30SPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.20346 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名稱(chēng) | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-9 18:57:00 |
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DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
?
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFBE30SPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
1552+ |
TO263 |
1000 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
24+/25+ |
D2-PAK(TO-263) |
4000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY |
2020+ |
TO-263 |
9500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
NA |
2600 |
只做原裝,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263-3 |
8150 |
只做原裝，歡迎詢(xún)價(jià)，量大價(jià)優(yōu) |
詢(xún)價(jià) | ||
IRFBE30SPBF |
575 |
575 |
詢(xún)價(jià) |
