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IRF640NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF640NS
廠商型號(hào)

IRF640NS

功能描述

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)

文件大小

155.4 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
IRF
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 14:06:00

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IRF640NS規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Ease of Paralleling

● Simple Drive Requirements

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF640NS

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    MOSFET N D2-PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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