IRF640NL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF640NL規(guī)格書詳情
描述 Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF640NL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
IR |
1822+ |
TO-262 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO262 |
55021 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO/220 |
7000 |
絕對全新原裝!100%保質(zhì)量特價!請放心訂購! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-262 |
9450 |
原裝正品，實單請聯(lián)系 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO262 |
18 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
50 |
6600 |
只做原裝,假一罰十,長期供貨。 |
詢價 |
