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IRF640N中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF640N
廠商型號

IRF640N
功能描述

N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
文件大小

160.31 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-8-5 21:28:00
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IRF640N規(guī)格書詳情

特性 Features

? Ultra Low On-Resistance

- rDS(ON) = 0.102? (Typ), VGS = 10V

? Simulation Models

- Temperature Compensated PSPICE? and SABER?

Electrical Models

- Spice and SABER? Thermal Impedance Models

? Peak Current vs Pulse Width Curve

? UIS Rateing Curve

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF640N

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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