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IRF630B中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF630B
廠商型號(hào)

IRF630B

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

72.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 23:01:00

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IRF630B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Drain Current –ID= 9A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage-

: VDSS= 200V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.4Ω (Max)

? Fast Switching Speed

APPLICATIONS

? Desinged for high efficiency switching DC/DC converters,

switch mode power supplies, DC-AC converters for unin

terrupted power supply and motor control applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF630B

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    200V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
50
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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