IRF630中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF630規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.
● Low RDS(on)
● VQS Rated at ±20 V
● Silicon Gate for Fast Switching Speeds
● oss. vos(on), Specified at Elevated Temperature
● Rugged
● Low Drive Requirements
● Ease of Paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF630
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2402+ |
TO2203 |
8324 |
原裝正品!實單價優(yōu)! |
詢價 | ||
IR |
2025+ |
TO-220 |
4835 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原裝原標原盒 給價就出 全網(wǎng)最低 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO220-3 |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨!自家?guī)齑? |
詢價 | ||
APEC |
全新原裝 |
TO-220(P) |
5000 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | ||
HARRIS |
19+ |
TO-220 |
20000 |
詢價 | |||
IR |
17+ |
NA |
9998 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
59013 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
2015+ |
500 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||||
ST(意法半導體) |
NA |
4586 |
全新原裝正品現(xiàn)貨可開票 |
詢價 |
