IRF630中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF630規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.
● Low RDS(on)
● VQS Rated at ±20 V
● Silicon Gate for Fast Switching Speeds
● oss. vos(on), Specified at Elevated Temperature
● Rugged
● Low Drive Requirements
● Ease of Paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF630
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導體) |
NA |
4586 |
全新原裝正品現(xiàn)貨可開票 |
詢價 | |||
ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
con |
36 |
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價格 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220AB |
105550 |
只做原裝，歡迎詢價，量大價優(yōu) |
詢價 | ||
STM |
NA |
16355 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
STM |
23+ |
TO-220-3 |
50000 |
原裝正品 支持實單 |
詢價 | ||
ST |
2020+ |
TO-220 |
80 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
0406 |
8820 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原裝原標原盒 給價就出 全網(wǎng)最低 |
詢價 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO220 |
1000 |
專注全新正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨供應 |
詢價 |
