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IRF530NSTRRPBF規(guī)格書詳情
描述 Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF530NSTRRPBF
- 功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
800 |
20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | ||
IR |
1044+ |
TO-263 |
780 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IOR |
23+ |
TO263 |
10500 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
IOR |
25+23+ |
TO263 |
26899 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-263 |
14100 |
原裝正品 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2447 |
D2-PAK(TO-263) |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 |
