IRF530NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF530NS規(guī)格書詳情
描述 Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Ultra Low On-Resistance
? Dynamic dv/dt Rating
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF530NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
原廠封裝 |
5000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
IR |
2018+ |
SOP/DIPQFP |
505 |
原裝假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-2 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
2500 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
5254 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO263-3 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-263 |
501300 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 |
