IRF530NL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF530NL規(guī)格書詳情
描述 Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Ultra Low On-Resistance
? Dynamic dv/dt Rating
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF530NL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
原廠原封□□□ |
339 |
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
18689 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價 | |||
IR |
TO-220 |
3200 |
原裝長期供貨! |
詢價 | |||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 |
