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IRF530NSPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF530NSPBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
275.75 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-1 20:07:00 |
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IRF530NSPBF規(guī)格書詳情
描述 Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF530NSPBF
- 功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
14+ |
TO-263 |
1 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA/ |
16383 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-263 |
65248 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
8000 |
原裝現(xiàn)貨,特價(jià)銷售 |
詢價(jià) | |||
IR |
2018+ |
TO-263-2 |
6528 |
科恒偉業(yè)!承若只做進(jìn)口原裝正品假一賠十!1581728776 |
詢價(jià) | ||
ir |
2023+ |
原廠封裝 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
24000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
20 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
1515 |
400 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價(jià) |
