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IPI65R110CFD	文件：3.85934 Mbytes Page：20 Pages	Marking：65F6110；Package：PG-TO262；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPI65R110CFD	文件：315.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhileoffering anextremelyfastandrobustbodydiode ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.11? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsf	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPP65R110CFD	文件：338.95 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhileoffering anextremelyfastandrobustbodydiode ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.11? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsf	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPP65R110CFD	文件：3.85934 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPP65R110CFDA	文件：2.33045 Mbytes Page：16 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPW65R110CFD	文件：335.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SuitableforresonantSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤110m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPW65R110CFD	文件：3.85934 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPW65R110CFDA	文件：2.33045 Mbytes Page：16 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPX65R110CFD	文件：3.85934 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?Ultra-fastbodydiode ?Veryhighcommutationruggedness ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdso	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPI65R110CFD
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
CoolMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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