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IPI65R110CFD中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPI65R110CFD
廠商型號

IPI65R110CFD

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

絲印標識

65F6110

封裝外殼

PG-TO262

文件大小

3.85934 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 17:07:00

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IPI65R110CFD規(guī)格書詳情

描述 Description

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

特性 Features

? Ultra-fast body diode

? Very high commutation ruggedness

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

? Easy to use/drive

???????? Qualified for industrial grade applications according to JEDEC?

? ?(J-STD20 and JESD22)

? Pb-free plating, Halogen free mold compound

Applications

? ?650V CoolMOS CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM

? ?stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server, Telecom and Solar.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPI65R110CFD

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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