制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: HVMDIP-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 1 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 540 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 8.3 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 1.3 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

商標(biāo): Vishay / Siliconix

配置: Single

下降時(shí)間: 9.4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.8 S

高度: 3.37 mm

長(zhǎng)度: 6.29 mm

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時(shí)間: 16 ns

系列: IRFD

工廠包裝數(shù)量：2500

子類別: Transistors

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 15 ns

典型接通延遲時(shí)間: 6.9 ns

寬度: 5 mm

單位重量: 1.821 g