零件狀態(tài)在售

FET 類型N 通道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)200A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）1.5 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）70 nC @ 10 V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）4300 pF @ 20 V

FET 功能-

功率耗散（最大值）3.8W（Ta），110W（Tc）

工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）

等級(jí)-

資質(zhì)-

安裝類型表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼8-PowerTDFN，5 引線

基本產(chǎn)品編號(hào)NTMFS5