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IMT65R260M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

IMT65R260M1H

參數(shù)屬性

IMT65R260M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:SILICON CARBIDE MOSFET

功能描述

MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device
SILICON CARBIDE MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

65R260M1

封裝外殼

PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN

文件大小

1.4699 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱(chēng)

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-9-22 19:10:00

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IMT65R260M1H規(guī)格書(shū)詳情

IMT65R260M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMT65R260M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類(lèi)晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

特性 Features

? Optimized switching behavior at higher currents

? Commutation robust fast body diode with low Qf

? Superior gate oxide reliability

? Tj,max=175°C and excellent thermal behavior

? Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

? Increased avalanche capability

? Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)

? Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IMT65R260M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    CoolSiC?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 技術(shù):

    SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
N/A
24+
NA
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
NANOTEC
20+
ZIP25
67500
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2223+
SOT-23
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SOT-153SOT-23-5
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新進(jìn)庫(kù)存/原裝
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