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IMT65R057M1H分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

IMT65R057M1H

參數(shù)屬性

IMT65R057M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個;產品描述:SILICON CARBIDE MOSFET

功能描述

MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device
SILICON CARBIDE MOSFET

絲印標識

65R057M1

封裝外殼

PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN

文件大小

1.49939 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網址

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數(shù)據手冊

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更新時間

2025-9-22 16:28:00

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IMT65R057M1H價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IMT65R057M1H規(guī)格書詳情

IMT65R057M1H屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產的IMT65R057M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Optimized switching behavior at higher currents

? Commutation robust fast body diode with low Qf

? Superior gate oxide reliability

? Tj,max=175°C and excellent thermal behavior

? Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

? Increased avalanche capability

? Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)

? Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IMT65R057M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    CoolSiC?

  • 包裝:

    管件

  • 技術:

    SiC(碳化硅結晶體管)

  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應商器件封裝:

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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