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IMT40R036M2H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

IMT40R036M2H

功能描述

CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

絲印標(biāo)識

40R036M2

封裝外殼

PG-HSOF-8

文件大小

1.26056 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-22 23:01:00

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IMT40R036M2H規(guī)格書詳情

特性 Features

? Ideal for high frequency switching and synchronous rectification

? Commutation robust fast body diode with low Qfr

? Low RDS(on) dependency on temperature

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

? Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V

? .XT interconnection technology for best?in?class thermal performance

? 100% avalanche tested

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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