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IMT65R022M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IMT65R022M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMT65R022M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET |
| 功能描述 | SiC N-Channel MOSFET |
| 封裝外殼 | 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
420.31 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ISC |
| 中文名稱 | 無(wú)錫固電 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-22 19:10:00 |
| 人工找貨 | IMT65R022M1H價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IMT65R022M1H規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply (SMPS)
·Uninterruptible Power Supply (UPS)
·Power Factor Correction (PFC)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 系列：
CoolSiC?
- 包裝：
管件
- 技術(shù)：
SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
18V
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-HSOF-8-1
- 封裝/外殼：
8-PowerSFN
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NANOTEC |
20+ |
ZIP25 |
67500 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
QFN |
3000 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IMT |
23+ |
DIP |
1800 |
十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，一手貨源，原裝正品可零售！ |
詢價(jià) | ||
NANOTEC |
23+ |
原廠封裝 |
9888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
7350 |
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詢價(jià) | |||
IMT |
DIP |
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詢價(jià) | |||
Nanotec |
專業(yè)鐵帽 |
ZIP25 |
10 |
原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
NANOTEC |
23+ |
ZIP25 |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
IMT |
DIP |
3350 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) |
