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IKW25N120T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW25N120T2
廠商型號(hào)

IKW25N120T2

參數(shù)屬性

IKW25N120T2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

功能描述

Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop? with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

376.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-1 23:00:00

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IKW25N120T2價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

IKW25N120T2規(guī)格書詳情

IKW25N120T2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW25N120T2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop? with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

● Short circuit withstand time – 10?s

● Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

● TrenchStop? 2nd generation for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

● Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient

in VCE(sat)

● Low EMI

● Low Gate Charge

● Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE Diode

● Qualified according to JEDEC1 for target applications

● Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKW25N120T2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,25A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.9mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    27ns/265ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,25A,16.4 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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