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IKW25N120H3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IKW25N120H3
廠商型號(hào)

IKW25N120H3

參數(shù)屬性

IKW25N120H3 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

功能描述

1200V high speed switching series third generation
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

2.14854 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-22 23:00:00

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IKW25N120H3規(guī)格書(shū)詳情

IKW25N120H3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW25N120H3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode

Features:

TRENCHSTOPTM technology offering

? very low VCEsat

? low EMI

? Very soft, fast recovery anti-parallel diode

? maximum junction temperature 175°C

? qualified according to JEDEC for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

? uninterruptible power supplies

? welding converters

? converters with high switching frequency

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKW25N120H3FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,25A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.65mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    27ns/277ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,25A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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