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IKW15N120T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IKW15N120T2 |
| 參數(shù)屬性 | IKW15N120T2 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 30A 235W TO247-3 |
| 功能描述 | IGBT in 2nd generation TrenchStop? technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
477.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-22 22:24:00 |
| 人工找貨 | IKW15N120T2價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IKW15N120T2規(guī)格書詳情
IKW15N120T2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW15N120T2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IKW15N120T2FKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
- 開關(guān)能量：
2.05mJ
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
32ns/362ns
- 測試條件：
600V，15A，41.8 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
1013+ |
TO247 |
39 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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INFINEON/英飛凌 |
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INFINEON/英飛凌 |
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原裝優(yōu)勢庫存，有意請來電或QQ微信溝通。 |
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INFINEON |
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INFINEON/英飛凌 |
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INFINEON |
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SMD |
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INFINEON |
21+ |
TO-247 |
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全新原裝公司現(xiàn)貨
|
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