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IKW15N120H3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW15N120H3
廠商型號

IKW15N120H3

參數(shù)屬性

IKW15N120H3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3

功能描述

High speed Duopack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode
IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

833.85 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-1 20:07:00

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IKW15N120H3價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IKW15N120H3規(guī)格書詳情

IKW15N120H3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW15N120H3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features:

TRENCHSTOP? technology offering

? very low VCEsat

? low EMI

? Very soft, fast recovery anti-parallel diode

? maximum junction temperature 175°C

? qualified according to JEDEC for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

? uninterruptible power supplies

? welding converters

? converters with high switching frequency

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IKW15N120H3FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    1.55mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    21ns/260ns

  • 測試條件:

    600V,15A,35 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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