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IHW40N135R3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IHW40N135R3 |
| 參數(shù)屬性 | IHW40N135R3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1350V 80A 429W TO247-3 |
| 功能描述 | Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | PG-TO247-3 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.72334 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找貨 | IHW40N135R3價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IHW40N135R3規(guī)格書詳情
IHW40N135R3屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW40N135R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Features:
?Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved
reliability
?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage
designedforsoftcommutationonly
?TRENCHSTOPTMtechnologyoffering:
-verytightparameterdistribution
-highruggedness,temperaturestablebehavior
-lowVCEsat
-easyparallelswitchingcapabilityduetopositive
temperaturecoefficientinVCEsat
?LowEMI
?QualifiedaccordingtoJESD-022fortargetapplications
?Pb-freeleadplating;RoHScompliant
?Halogenfree(accordingtoIEC61249-2-21)
?CompleteproductspectrumandPSpiceModels:
http://www.infineon.com/igbt/
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IHW40N135R3FKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
2.5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
-/343ns
- 測試條件：
600V，40A，7.5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3
- 描述：
IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NA/ |
8735 |
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