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IHW30N90R_08中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IHW30N90R_08
廠商型號

IHW30N90R_08

功能描述

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

文件大小

304 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 20:00:00

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IHW30N90R_08規(guī)格書詳情

Features:

? 1.5V typical saturation voltage of IGBT

? Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- easy parallel switching capability due to positive

temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Qualified according to JEDEC1

for target applications

? Application specific optimisation of inverse diode

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IHW30N90R_08

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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