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IHW30N90R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW30N90R
廠商型號(hào)

IHW30N90R

參數(shù)屬性

IHW30N90R 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 60A 454W TO247-3

功能描述

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 900V 60A 454W TO247-3

絲印標(biāo)識(shí)

H30R90

封裝外殼

PG-TO-247-3 / TO-247-3

文件大小

304 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 23:00:00

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IHW30N90R規(guī)格書詳情

IHW30N90R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW30N90R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features:

? 1.5V typical saturation voltage of IGBT

? Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- easy parallel switching capability due to positive

temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Qualified according to JEDEC1

for target applications

? Application specific optimisation of inverse diode

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IHW30N90R

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    1.46mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/511ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,30A,15 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 900V 60A 454W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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