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IHW40N120R3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IHW40N120R3
廠(chǎng)商型號(hào)

IHW40N120R3

參數(shù)屬性

IHW40N120R3 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 80A 429W TO247-3

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 1200V 80A 429W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

1.72332 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商

INFINEON

中文名稱(chēng)

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠(chǎng)下載下載地址一下載地址二到原廠(chǎng)下載

更新時(shí)間

2025-8-8 23:00:00

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IHW40N120R3規(guī)格書(shū)詳情

IHW40N120R3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW40N120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IHW40N120R3FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2.02mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    -/336ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,40A,7.5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 80A 429W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7248
原廠(chǎng)渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。
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INFINEON/英飛凌
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NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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