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IHW30N160R5數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
IHW30N160R5 |
參數(shù)屬性 | IHW30N160R5 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:HOME APPLIANCES 14 |
功能描述 | 1600V IGBT,采用反并聯(lián)二極管,TO-247 封裝 |
封裝外殼 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 19:07:00 |
人工找貨 | IHW30N160R5價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IHW30N160R5規(guī)格書詳情
描述 Description
第5代反向?qū)?600 V,30 A TRENCHSTOP? IGBT,采用 TO-247 封裝的單片集成反向?qū)ǘO管,針對(duì)感應(yīng)烹飪應(yīng)用的嚴(yán)格要求進(jìn)行了優(yōu)化。30A RC-H5 器件在上一代反向?qū)?IGBT 基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn),并進(jìn)一步提升了 RC-H 系列性能的先進(jìn)地位,它專注于系統(tǒng)效率和可靠性。
特性 Features
? 開關(guān)損耗減少幅度高達(dá)20%
? 超低通態(tài)損耗
? 啟動(dòng)電流峰值降低10%
? Tj(max)= 175°C
? 低 EMI 的軟電流關(guān)斷波形
? 更高的阻斷電壓 VBR(min)= 1600
優(yōu)勢(shì):
? 開關(guān)頻率增加
? 減少功率損耗
? 更好的熱管理,可提高可靠性
? 更低的 EMI 濾波要求
? 降低系統(tǒng)成本
? 針對(duì)峰值電流的最高可靠性
簡(jiǎn)介
IHW30N160R5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IHW30N160R5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
:IHW30N160R5
- 生產(chǎn)廠家
:Infineon
- Product Status
:active and preferred
- Green
:yes
- Halogen-free
:yes
- Switching Frequency min
:8 kHz
- Switching Frequency max
:60 kHz
- Technology
:IGBT RC Soft Switching
- Voltage Class max
:1600 V
- VCE(sat)
:1.85 V
- Qualification
:Industrial
- Eoff Hard Switching
:2 mJ
- IF max
:55 A
- Driver Selection
:5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IHW30N160R5|5546d4624933b8750149389ffe6022e2=0.0|5546d4624933b8750149389ffe5222e1=10.0|5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT|5546d4694909da48014909dc094d01c8=1600.0
- Type
:IGBT + Diode
- Package name
:PG-TO247-3
- td(off)
:290 ns
- tf
:47 ns
- QGate
:205 nC
- IC @ 25° max
:60 A
- IFpuls max
:90 A
- VF
:2 V
- ICpuls max
:90 A
- tSC
:0 μs
- Soft Switching
:yes
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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