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首頁(yè)>IHW20N120R3>規(guī)格書(shū)詳情

IHW20N120R3數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

IHW20N120R3

參數(shù)屬性

IHW20N120R3 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

功能描述

1200 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱(chēng)

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-15 12:15:00

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IHW20N120R3規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

第三代逆導(dǎo)型 1200 V、20 A TRENCHSTOPTM RC-IGBT3,采用單片集成逆導(dǎo)型二極管在 TO-247 中封裝,更優(yōu)地實(shí)現(xiàn)了更低的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。降低的功耗以及軟開(kāi)關(guān)行為,實(shí)現(xiàn)了更好的熱性能和電磁干擾行為,從而降低系統(tǒng)成本。在降低成本的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的性能。

特性 Features

? 一流的 VCEsat 和 Vf 傳導(dǎo)屬性
? 開(kāi)關(guān)損耗低,效率高
? 優(yōu)異的熱性能
? Tj(max) = 175°C
? 低電磁干擾的軟電流關(guān)斷波形

優(yōu)勢(shì):
? 功耗較低
? 更好的熱量管理
? 浪涌電流能力可降低電磁干擾濾波要求
? 降低系統(tǒng)成本
? 電流峰值時(shí)可靠性較高

簡(jiǎn)介

IHW20N120R3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IHW20N120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :IHW20N120R3

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Technology?

    :IGBT RC Soft Switching

  • Switching Frequency?min?max

    :8.0kHz?60.0kHz

  • Package?

    :TO-247

  • Voltage Class?max

    :1200.0V

  • IC(@100°)?max

    :20.0A

  • IC(@25°)?max

    :40.0A

  • ICpuls?max

    :60.0A

  • Ptot?max

    :310.0W

  • VCE(sat)?

    :1.48V?

  • Eoff(Hard Switching)?

    :0.95mJ?

  • td(on)?

    :0.0ns?

  • tr?

    :0.0ns?

  • td(off)?

    :387.0ns?

  • tf?

    :25.0ns?

  • QGate?

    :211.0nC?

  • IF?max

    :40.0A

  • IFpuls?max

    :40.0A

  • VF?

    :1.55V?

  • Qrr?

    :0.0nC?

  • Irrm?

    :0.0A?

  • VCE?max

    :1200.0V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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