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IHW30N120R2數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
IHW30N120R2 |
| 參數(shù)屬性 | IHW30N120R2 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 60A 390W TO247-3 |
| 功能描述 | 分立式IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 14:14:00 |
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IHW30N120R2規(guī)格書詳情
特性 Features
·Best-in-class V ce(sat) and V f for outstanding efficiency
·Lowest switching losses
·Stable temperature behavior
·Soft current turn-off waveforms
·High breakthrough voltage
·Resistance to current spikes over the SOA
應(yīng)用 Application
? · Induction cooking stoves
· Microwave ovens
· Rice cookers
·Multifunctional printers
簡介
IHW30N120R2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IHW30N120R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：IHW30N120R2
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- Switching Frequency?min?max
：8.0kHz?60.0kHz
- Package?
：TO-247
- Voltage Class?max
：1200.0V
- IC(@100°)?max
：30.0A
- IC(@25°)?max
：60.0A
- ICpuls?max
：90.0A
- Ptot?max
：390.0W
- VCE(sat)?
：2.0V?
- Eoff(Hard Switching)?
：3.1mJ?
- td(off)?
：860.0ns?
- tf?
：40.0ns?
- QGate?
：198.0nC?
- IF?max
：30.0A
- IFpuls?max
：90.0A
- VF?
：1.75V?
- VCE?max
：1200.0V
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-247 |
32360 |
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1932+ |
TO-247 |
467 |
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INFINEON |
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30216 |
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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英飛翎 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
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原裝 |
5000 |
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Infineon(英飛凌) |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
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