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IAUMN08S5N013G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IAUMN08S5N013G
廠商型號

IAUMN08S5N013G

功能描述

Automotive MOSFET OptiMOS? 5 Power-Transistor

絲印標識

5N08N013

封裝外殼

PG-HSOG-4-1

文件大小

1.28814 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 12:09:00

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IAUMN08S5N013G規(guī)格書詳情

特性 Features

? OptiMOS? power MOSFET for automotive applications

? N-channel – Enhancement mode – Normal Level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL2 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100% Avalanche tested

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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