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IAUCN08S7N024中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IAUCN08S7N024
廠商型號(hào)

IAUCN08S7N024

功能描述

Automotive MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

7N08N024

封裝外殼

PG-TDSON-8-34

文件大小

2.91872 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 17:35:00

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IAUCN08S7N024規(guī)格書詳情

特性 Features

? OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications

? N-channel – Enhancement mode – Normal Level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100% Avalanche tested

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon
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Infineon Technologies
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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Infineon/英飛凌
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PG-HSOG-8
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