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IAUCN08S7N019中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IAUCN08S7N019
廠商型號(hào)

IAUCN08S7N019

功能描述

Automotive MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

7N08N019

封裝外殼

PG-TDSON-8-43

文件大小

2.9514 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 11:25:00

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IAUCN08S7N019規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications

? N-channel – Enhancement mode – Normal Level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100% Avalanche tested

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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