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IAUCN10S7N021中文資料英飛凌數據手冊PDF規(guī)格書

IAUCN10S7N021
廠商型號

IAUCN10S7N021

功能描述

Automotive MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor

絲印標識

7N10N021

封裝外殼

PG-TDSON-8-53

文件大小

3.12902 Mbytes

頁面數量

12

生產廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網址

網址

數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-7 8:49:00

人工找貨

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IAUCN10S7N021規(guī)格書詳情

特性 Features

? OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications

? N-channel – Enhancement mode – Normal Level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100% Avalanche tested

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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