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IAUCN04S7L028中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IAUCN04S7L028
廠商型號(hào)

IAUCN04S7L028

功能描述

OptiMOS? 7 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

7N04L028

封裝外殼

PG-TDSON-8-33

文件大小

796.51 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-24 8:02:00

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IAUCN04S7L028規(guī)格書詳情

特性 Features

? OptiMOS? power MOSFET for automotive applications

? N-channel – Enhancement mode – Logic Level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100 Avalanche tested

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon/英飛凌
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PG-HSOG-8
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原裝正品
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英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
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Infineon/英飛凌
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PG-HSOG-8
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INFINEON
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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NK/南科功率
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