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HGTP20N35G3VL中文資料INTERSIL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

HGTP20N35G3VL
廠商型號(hào)

HGTP20N35G3VL

功能描述

20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

文件大小

106.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INTERSIL

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更新時(shí)間

2025-8-14 14:27:00

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HGTP20N35G3VL規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ignition circuits. Unique features include an active voltage clamp between the collector and the gate which provides Self Clamped Inductive Switching (SCIS) capability in ignition circuits. Internal diodes provide ESD protection for the logic level gate. Both a series resistor and a shunt resistor are provided in the gate circuit.

特性 Features

? Logic Level Gate Drive

? Internal Voltage Clamp

? ESD Gate Protection

? TJ = 175°C

? Ignition Energy Capable

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HGTP20N35G3VL

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 Coil Dri 20A 350V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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