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HGTP12N60C3D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTP12N60C3D
廠商型號(hào)

HGTP12N60C3D

參數(shù)屬性

HGTP12N60C3D 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 24A TO220-3

功能描述

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

99.41 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

INTERSIL

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-10 23:01:00

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HGTP12N60C3D規(guī)格書詳情

This family of MOS gated high voltage switching devices combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is the development type TA49123. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49188.

???

特性 Features

? 24A, 600V at TC = 25°C

? Typical Fall Time at TJ = 150°C . . . . . . . . . . . . . . . . 210ns

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

???

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTP12N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),900μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 24A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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