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HGTP12N60C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
HGTP12N60C3 |
參數(shù)屬性 | HGTP12N60C3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
功能描述 | 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
131.23 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | HARRIS |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-13 23:01:00 |
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HGTP12N60C3規(guī)格書詳情
描述 Description
The HGTP12N60C3, HGT1S12N60C3 and HGT1S12N60C3S are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.
特性 Features
? 24A, 600V at TC = 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
HGTP12N60C3
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,12A
- 開關(guān)能量:
380μJ(開),900μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 24A 104W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3271 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-220AB |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FSC/仙童 |
21+ |
TO-220 |
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FAIRCHILD |
20+ |
原裝 |
65790 |
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
2026 |
650 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | |||
HARRIS |
24+ |
TO-220 |
2500 |
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ON/安森美 |
21+ |
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30000 |
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詢價(jià) |