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HGTP12N60C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTP12N60C3
廠商型號(hào)

HGTP12N60C3

參數(shù)屬性

HGTP12N60C3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 24A 104W TO220AB

功能描述

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

131.23 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

HARRIS

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 23:01:00

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HGTP12N60C3規(guī)格書詳情

描述 Description

The HGTP12N60C3, HGT1S12N60C3 and HGT1S12N60C3S are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

特性 Features

? 24A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . 230ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTP12N60C3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),900μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 24A 104W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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