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HGTG20N60B3D數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTG20N60B3D

參數(shù)屬性

HGTG20N60B3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 165W TO247

功能描述

600V,PT IGBT
IGBT 600V 40A 165W TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 23:00:00

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HGTG20N60B3D規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTG20N60B3D 是一款第三代 MOS 門極高電壓開關(guān)器件,組合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗,以及雙極晶體管的低導(dǎo)通狀態(tài)損耗。低得多的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降在 25°C 和 150°C 之間僅存在少量變化。此 IGBT 適用于低導(dǎo)通損耗至關(guān)重要的、在中等頻率下運行的多種高電壓開關(guān)應(yīng)用,如: 交流和直流電機控制、電磁閥電源和驅(qū)動器、繼電器和接觸器。

特性 Features

?40A、600 V,TC=25°C
?典型下降時間: 150°C 時為 140 ns
?短路額定值
?低導(dǎo)通損耗
?超快反向并聯(lián)二極管

應(yīng)用 Application

? 其他工業(yè)

簡介

HGTG20N60B3D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG20N60B3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG20N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    475μJ(開),1.05mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 165W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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