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HGT1S20N36G3VL數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGT1S20N36G3VL |
| 參數(shù)屬性 | HGT1S20N36G3VL 封裝/外殼為TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA |
| 功能描述 | IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 23:01:00 |
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HGT1S20N36G3VL規(guī)格書詳情
簡介
HGT1S20N36G3VL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGT1S20N36G3VL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：HGT1S20N36G3VL
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
：395V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
：37.7A
- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
：1.9V @ 5V，20A
- 功率 - 最大值
：150W
- 開關(guān)能量
：-
- 輸入類型
：邏輯
- 柵極電荷
：28.7nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值
：-/15μs
- 測試條件
：300V，10A，25歐姆，5V
- 工作溫度
：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型
：通孔
- 封裝/外殼
：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝
：I2PAK（TO-262）
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSIL/FAIRCHILD |
24+ |
NA/ |
6122 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
58000 |
原裝進(jìn)口特價供應(yīng) 特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫存 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
16900 |
原裝，請咨詢 |
詢價 | ||
fsc |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
INTERS |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
39197 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 |
