首頁>HGT1S2N120CN>規(guī)格書詳情
HGT1S2N120CN數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGT1S2N120CN |
| 參數(shù)屬性 | HGT1S2N120CN 封裝/外殼為TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK |
| 功能描述 | IGBT 1200V 13A 104W I2PAK |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 23:01:00 |
| 人工找貨 | HGT1S2N120CN價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HGT1S2N120CN規(guī)格書詳情
簡介
HGT1S2N120CN屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGT1S2N120CN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：HGT1S2N120CN
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
：1200V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
：13A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
：20A
- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
：2.4V @ 15V，2.6A
- 功率 - 最大值
：104W
- 開關(guān)能量
：96μJ（開），355μJ（關(guān)）
- 輸入類型
：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷
：30nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值
：25ns/205ns
- 測試條件
：960V，2.6A，51 歐姆，15V
- 工作溫度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型
：通孔
- 封裝/外殼
：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝
：TO-262
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1163 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
86514 |
原裝進(jìn)口特價供應(yīng) 特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫存 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2405+ |
TO-262 |
4475 |
只做原裝正品渠道訂貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
05+ |
原廠原裝 |
4457 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-262 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO262 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-262 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 |
