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HGT1S10N120BNS數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
HGT1S10N120BNS |
| 功能描述 | IGBT，1200V，NPT |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-5 23:01:00 |
| 人工找貨 | HGT1S10N120BNS價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HGT1S10N120BNS規(guī)格書詳情
描述 Description
HGT1S10N120BNST 基于非穿通 (NPT) IGBT 設(shè)計(jì)。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開關(guān)應(yīng)用，如 UPS、太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)控制和電源。
特性 Features
?17 A、1200 V，TC = 110°C
?低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 10 A
?典型下降時(shí)間。. . . . . . . . TJ= 150°C時(shí)為140ns
?短路額定值
?低傳導(dǎo)損耗
應(yīng)用 Application
? 不間斷電源
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：HGT1S10N120BNS
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：17
- VCE(sat) Typ (V)
：2.45
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：0.8
- Eon Typ (mJ)
：0.32
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：100
- Short Circuit Withstand (μs)
：8
- EAS Typ (mJ)
：80
- PD Max (W)
：298
- Co-Packaged Diode
：No
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO263AB |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263AB-3 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
2400 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263AB-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
19+ |
TO263 |
50 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
Onsemi |
21+ |
7200 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) |
