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HGT1S12N60A4S9A數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

HGT1S12N60A4S9A

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 17:40:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    HGT1S12N60A4S9A

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
25+
TO-220
4500
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
詢價
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18+
TO-263
1400
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23+
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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