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HGT1S20N36G3VL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGT1S20N36G3VL
廠商型號(hào)

HGT1S20N36G3VL

參數(shù)屬性

HGT1S20N36G3VL 封裝/外殼為TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

功能描述

20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

封裝外殼

TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

文件大小

256.95 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-14 16:26:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGT1S20N36G3VL

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 5V,20A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/15μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,10A,25歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I2PAK(TO-262)

  • 描述:

    IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-262
32322
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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NA
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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TO262AA
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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TO-263
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I2PAK(TO-262)
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