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HGT1S20N35G3VL分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGT1S20N35G3VL
廠商型號

HGT1S20N35G3VL

參數(shù)屬性

HGT1S20N35G3VL 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 380V 20A 150W TO263AB

功能描述

20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

209.48 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-15 16:33:00

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HGT1S20N35G3VL規(guī)格書詳情

描述 Description

This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ignition circuits. Unique features include an active voltage clamp between the collector and the gate which provides Self Clamped Inductive Switching (SCIS) capability in ignition circuits. Internal diodes provide ESD protection for the logic level gate. Both a series resistor and a shunt resistor are provided in the gate circuit.

特性 Features

? Logic Level Gate Drive

? Internal Voltage Clamp

? ESD Gate Protection

? TJ = 175°C

? Ignition Energy Capable

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGT1S20N35G3VLS

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 5V,20A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/15μs

  • 測試條件:

    300V,10A,25歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK(TO-263)

  • 描述:

    IGBT 380V 20A 150W TO263AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
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